MoS₂等二维过渡金属硫化物近些年得到广泛研究，也刺激人们发展新合成策略。最近人们发现卤盐能够改善多种TMD材料的CVD合成，但是人们对卤盐促进生成TMD的机理与其中发生的反应过程并不理解。

有鉴于此，莱斯大学Boris I. Yakobson等报道通过第一性原理计算、AIMD分子动力学模拟研究合成MoS₂单层膜的机理。

本文要点：

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研究发现，盐辅助合成MoS₂过程关键中间体是MoO₂X₂ (X=F, Cl, Br, I)，通过MoO₃作为原料，盐辅助合成比没有盐合成MoS₂的能垒更低。

此外，决速步骤能垒与卤原子的电负性呈线性变化规律，氧碘化物的合成能垒最低。本文研究解释说明卤化物增强CVD合成单层MoS₂的机理。

参考文献

Jincheng Lei, Yu Xie, Alex Kutana, Ksenia V. Bets, and Boris I. Yakobson*, Salt-Assisted MoS₂ Growth: Molecular Mechanisms from the First Principles, J. Am. Chem. Soc. 2022

DOI: 10.1021/jacs.2c02497

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.2c02497