CsPbI₃材料具有优异的热稳定性、合适的能带结构，是一种具有前景的单节、多节光伏电池光吸收材料。但是通常CsPbI₃材料的晶体质量无法令人满意，而且存在严重的非辐射复合问题。

有鉴于此，中科院化学所宋延林、蒋克健、郑州大学张懿强等报道真空热煅烧方法合成CsPbI₃薄膜材料的方法，以PbI₂、CsI、DMAI（二甲基碘化铵）作为前驱原料，能够控制CsPbI₃薄膜的形貌和晶化度，构建高性能稳定无机钙钛矿太阳能电池。

本文要点：

(1)

通过这种真空煅烧方法，实现了大面积高品质CsPbI₃薄膜，具有比较低的陷阱浓度，更高的电荷寿命。因此这种CsPbI₃钙钛矿电池的性能从17.26 %提高为20.06 %，而且改善电池的稳定性。

(2)

这种真空煅烧制备薄膜的方法，有助于制备高性能薄膜CsPbI₃钙钛矿光电器件。

参考文献

Guanghui Yu, Ke-Jian Jiang*, Wei-Min Gu, Yawen Li, Yuze Lin, Yanting Xu, Xinning Jiao, Tangyue Xue, Yiqiang Zhang*, Yanlin Song*, Vacuum-Assisted Thermal Annealing of CsPbI₃ for Highly Stable and Efficient Inorganic Perovskite Solar Cells, Angew. Chem. Int. Ed. 2022

DOI: 10.1002/anie.202203778

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/anie.202203778