通过电化学的方式调节过渡金属硫化物的谷自由度是发展谷电子学器件的关键。人们通过Ga(Mn)As和高导磁合金之间形成铁磁接触点尝试这个目标，通过向过渡金属硫化物中注入自旋极化载流子实现谷极化现象。但是此类材料的制备过程需要非常高磁场或者复杂的外延生长步骤，因此导致其难以实用。

有鉴于此，台湾清华大学郑弘泰（Horng-Tay Jeng）、Chang-Hua Liu等通过单层过渡金属硫化物WSe₂作为主体材料、通过施加偏压在铁磁性Fe₃GeTe₂/BN产生隧道接触，能够将自旋极化空穴注入WSe₂，在±K谷之间产生不平衡分布，通过DFT计算和变螺旋电致发光表征进行验证。

本文要点：

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施加外磁场观测发现螺旋电致荧光的信号翻转，产生与反射磁圆二色性测试Fe₃GeTe₂的磁滞回线一致的滞后曲线。这个研究结果有助于解决谷电子学的关键挑战，为发展vdW磁体的磁-光电应用提供机会和可能。

参考文献

Li, JX., Li, WQ., Hung, SH. et al. Electric control of valley polarization in monolayer WSe2 using a van der Waals magnet. Nat. Nanotechnol. (2022)

DOI: 10.1038/s41565-022-01115-2

https://www.nature.com/articles/s41565-022-01115-2