尽管二维非范德华(vdW)薄膜显示出许多有趣的物理化学性质以及在电子学、催化和储能领域的广泛应用，但由于其三维成键结构，它们仍然缺乏有效的合成方法。

先前的工作中，研究人员开发了一种拓扑转换方法来从非vdW MAX相中制备出具有明确2H/1T相的二维vdW TMC单层，如MoS₂和WS₂。近日，北京航空航天大学杨树斌教授通过高温下非vdW钒基MAX相（V₂GeC）在硫化氢气体中的拓扑转化，获得了具有原子薄特征的2D非vdW TMC层。

文章要点

1）在转化过程中，伴随着从MAX相开始的锗层的刻蚀，钒层可以转变为2D非vdW硫化钒（V₃S₄）纳米晶，这可能源于有序的V原子在中间二硫化钒（VS₂）层的vdW能隙中的自嵌插。

2）由于在MAX相中继承了钒层的层状结构，这些2D非vdW层具有高度暴露的表面、金属特征和独特的空位富集型结构。因此，极有望存储大尺寸金属离子，如锌离子，表现出341mAh g^-1的高可逆容量和良好的倍率性能(10000 mA g^-1时为162mAh g^-1)。

参考文献

Zhiguo Du, et al, 2D Non-Van Der Waals T ransition-Metal Chalcogenide Layers Derived from Vanadium-Based MAX Phase for Ultrafast Zinc Storage, Adv. Energy Mater. 2022

DOI: 10.1002/aenm.202200943

https://doi.org/10.1002/aenm.202200943