由于含有缺陷的过渡金属硫化物量子点的缺陷具有独特的光学、物理、催化、电子学性质，因此缺陷过渡金属硫化物量子点受到化学工作者的广泛关注。但是，在MoS₂量子点修饰结构明确的缺陷位点具有非常大的挑战和困难。

有鉴于此，新加坡国立大学Slaven Garaj、David Tai Leong、Houjuan Zhu等报道通过自下而上合成方法，通过温和的生物矿化构建含有高浓度缺陷位点、具有蓝色荧光的MoS₂量子点。

本文要点

（1）

首先自下而上Mo和S离子反应，合成MoS₂量子点，随后通过碱刻蚀的方式得到含有大量缺陷的B-QDs。碱刻蚀过程能够显著的增加活性位点数目，降低MoS₂的能带，而且通过DFT计算验证结论。

（2）

由于S₁与T₁之间的能垒降低、系间窜越效率增强，因此缺陷量子点对O₂实现了更高的结合亲和性。降低的能垒导致更容易形成e^--h⁺对，并且导致量子点与³O₂之间具有更高的结合亲和性。

缺陷工程展示了一种控制材料性能的新方法，为过渡金属硫化物材料的应用提供更多机会。

参考文献

Houjuan Zhu, Wenyan Zan, Wanli Chen, Wenbin Jiang, Xianguang Ding, Bang Lin Li, Yue-Wen Mu, Lei Wang, Slaven Garaj, David Tai Leong, Defect-rich Molybdenum Sulfide Quantum Dots for Amplified Photoluminescence and Photonics Driven Reactive Oxygen Species Generation, Adv. Mater. 2022, 

DOI: 10.1002/adma.202200004

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adma.202200004