非保守位错攀移在晶体材料的塑性变形和蠕变中起着独特的作用。然而，潜在的原子尺度的位错攀移机制还没有被直接的实验观察所探索。

近日，上海交通大学Pan Liu，佐治亚理工学院Ting Zhu，约翰霍普金斯大学陈明伟教授报道了室温下原位应变过程中晶界(GB)位错攀移的原子尺度观察。

文章要点

1）研究发现，刃型位错的攀移是通过位错核心中额外半个原子平面边缘处两个相邻原子柱的应力诱导重建而发生。这不同于位错攀移的传统观点，即通过破坏或构建位错核心的单个原子柱来实现。

2）蒙特卡罗模拟表明，所提出的位错攀移的原子路径在能量上是有利的。此外，原位观察还揭示了室温下通过位错攀移的GB演化，这表明了一种控制纳米结构金属的微结构和性质的方法。

参考文献

Chu, S., Liu, P., Zhang, Y. et al. In situ atomic-scale observation of dislocation climb and grain boundary evolution in nanostructured metal. Nat Commun 13, 4151 (2022).

DOI：10.1038/s41467-022-31800-8

https://doi.org/10.1038/s41467-022-31800-8