胶态量子点的外延熔融超晶格(QD epi-SLs)可以表现出电子微带和高迁移率电荷输运，但是epi-SLs的电学测量一直局限于大面积多晶样品，其中超晶格晶界和晶内缺陷抑制/掩盖了微带效应。对单个高度有序的epi-SL晶粒中电荷输运的系统测量将有助于QD薄膜中微带的研究。

近日，加州大学欧文分校Matt Law展示了无空气制造微尺度场效应晶体管(μ-FETs ),其沟道由单个PbSe QD epi-SL晶粒(27微米沟道尺寸)组成，并分析了这些单晶粒器件中的电荷传输。

文章要点

1）所研究的八个器件显示了p沟道或双极传输，其空穴迁移率在290 K时高达3.5 cm² v^-1 s^-1，在170-220 K时高达6.5 cm² v^-1 s^-1，比以前的QD固体高出一个数量级。迁移率在150-220 K达到峰值，但是器件在更高温度下的迟滞使得真实的迁移率-温度曲线不确定，并且小型带传输的证据不确定。

这里展示的制造单颗粒epi-SL器件的工艺为这些材料中出现的微型带物理的基于FET和Hall的系统电荷输运研究奠定了基础。

参考文献

Alex Abelson, et al, High-Mobility Hole Transport in Single-Grain PbSe Quantum Dot Superlattice Transistors, Nano Lett., 2022

DOI: 10.1021/acs.nanolett.2c03657

https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.2c03657