锗（Ge）已经成为自旋电子学和量子信息应用的一种非常有前途的材料，与硅相比具有显著的基本优势。然而，利用供体原子作为量子比特来制造原子级设备的努力主要集中在硅（Si）中的磷上。在硅中以原子级精度定位磷需要热掺入退火，但这一步的低成功率已被证明是一个基本的限制，禁止扩大到大规模的设备。

近日，伦敦大学学院Steven R. Schofield对Ge(001)表面上的     As(AsH₃)进行了全面的研究。

文章要点

1）研究表明，与之前研究的Si或Ge上的掺杂前驱体不同，As原子在室温下完全结合到取代的表面晶格位置。因此，研究结果为下一代原子尺度的供体设备铺平了道路，该设备将锗的优越电子特性与As/Ge化学的增强特性相结合，有望扩大到大量确定性放置的量子位。

参考文献

Emily V. S. Hofmann, et al, Room Temperature Incorporation of Arsenic Atoms into the Germanium (001) Surface, Angew. Chem. Int. Ed. 2022, e202213982

DOI: 10.1002/anie.202213982

https://doi.org/10.1002/anie.202213982