vdW异质结材料的电子结构和光学性质受到纳米/原子尺度结构和均匀性的影响，理解结构-性质之间的紧密关系需要超高的空间分辨率对vdW材料的光-物质相互作用进行表征。

有鉴于此，斯特拉斯堡大学Guillaume Schull、Stéphane Berciaud等报道通过低温STEM表征技术，对担载于Au(111)晶面上的过渡金属硫化物与少层石墨烯构成的vdW异质结进行原子分辨率的激发荧光表征，发现电中性、带电、限域激子的尖锐荧光发射线。

本文要点

（1）

发现荧光发射线的强度和能量随着vdW异质结材料纳米拓扑结构的变化而改变，这种变化的现象说明通过衍射限制方法进行观测，发现变化的荧光。这项工作为理解和调控moiré超晶格材料的光电性质提供可能。

（2）

直接观测纳米环境对荧光性质的影响，发现当带电激子变为限域激子发生无法忽视的激子能量移动，而且发现激子为Wannier-Mott激子，扩散的距离长达纳米~微米，表征的空间分辨率最高达到5 nm。这种STML技术有助于理解vdW异质结材料的近场电荷、能量转移、临近效应，而且能够为理解扭转异质结的相干电子相和激子提供帮助。STML能够与针尖增强荧光光谱结合实现时间分辨率的表征技术，从而能够在原子尺度和亚ps时间尺度表征vdW材料的激子性质。

参考文献

Luis E. Parra López, Anna Rosławska, Fabrice Scheurer, Stéphane Berciaud & Guillaume Schull, Tip-induced excitonic luminescence nanoscopy of an atomically resolved van der Waals heterostructure. Nat. Mater. (2023).

DOI: 10.1038/s41563-023-01494-4

https://www.nature.com/articles/s41563-023-01494-4