异突触神经调节是节能和高级生物神经处理的关键推动因素。然而，这种多方面的突触调制无法使用传统的忆阻器和突触晶体管来模拟。

近日，首尔大学Chul-Ho Lee报道了一种使用有意缺陷生成的MoS₂通道的三端异质突触记忆晶体管。

文章要点

1）超薄沟道中缺陷介导的空间电荷限制传导导致源极端子和漏极端子之间的忆阻开关特性，根据陷阱状态的栅极调谐填充使用栅极端子进一步调制。

2）该设备充当人工突触，由来自源端和门端的亚- fJ 脉冲控制，消耗的能量低于其生物对应物。特别是，与生物神经调节相对应的静电门调制另外调节突触权重的动态范围和调谐速率，与编程（源）脉冲无关。

3）值得注意的是，这种异突触调制不仅提高了学习的准确性和效率，而且还降低了模式识别中的能量消耗。这项研究提出了一条通往实现高度网络化和高能效神经形态电子学的新途径。

参考文献

Woong Huh, et al, Heterosynaptic MoS₂ Memtransistors Emulating Biological Neuromodulation for Energy-Efficient Neuromorphic Electronics, Adv. Mater. 2023

DOI: 10.1002/adma.202211525

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adma.202211525