包括过渡金属二硫化物(TMDC)在内的二维(2D)半导体因其非凡的特性而在光电子领域受到关注。然而，大量且局部分布的晶格缺陷会影响二维TMDCs的光学性质，而这些缺陷源于合成过程中的不稳定因素。

近日，清华深圳国际研究生院刘碧录开发了一种硫属元素前体（硫和硒）预熔化和再固化的方法，即再固化硫属元素，作为超高质量和均匀性TMDC化学气相沉积生长的前体。

文章要点

1）以WS₂为例，单层WS₂在低温下表现出均匀的荧光强度和较小的光致发光峰半峰全宽，平均值为13.6±1.9meV。

2）内部和边缘区域的缺陷密度都很低且具有可比性，即（9±3）×10¹² cm^-2和（10±4）×10¹² cm^-2，表明其具有较高的结构质量和均匀性。

3）该方法普遍适用于生长高质量单层MoS₂、WSe₂、MoSe₂，并将有利于它们的应用。

参考文献

Qinke Wu, et al, Resolidified Chalcogen Precursors for High-Quality 2D Semiconductor Growth, Angew. Chem. Int. Ed. 2023, e202301501

DOI: 10.1002/anie.202301501

https://doi.org/10.1002/anie.202301501