锗（Ge）在机械应变下表现出增强的载流子迁移率，这使其成为光电子和超快半导体器件的重要材料。但是，它在环境温度下非常脆。在这里，我们通过使用微米级样品的原位压缩，展示了单晶Ge在很宽的温度范围内的可塑性，即使在低温下也是如此。
近日，苏黎世联邦理工学院Jeffrey M. Wheeler应用聚焦离子束 (FIB) 加工来制造具有从几微米到亚微米尺寸的各种直径和晶体取向的锗柱。
文章要点
1）实验提供了在 -100 °C—400 °C (0.14–0.56 Tm) 的常规脆性温度范围内进行测试的样本，以定量研究尺寸对 Ge 强度的影响。
2）除了在不同温度和柱直径下的单调压缩外，还进行了瞬态塑性测试，以通过改变应变率来提取变形机制的激活参数。此外，还使用扫描电子显微镜 (SEM) 和透射电子显微镜 (TEM) 分析变形的微结构。这允许在很宽的温度范围内将测量的激活参数与微观结构特征和变形机制相关联。
参考文献
Chen et al., Exploring defect behavior and size effects in micron-scale germanium from cryogenic to elevated
temperatures, Matter (2023)
DOI：10.1016/j.matt.2023.03.025
https://doi.org/10.1016/j.matt.2023.03.025
