外延生长是最常用的策略之一，可以为各种应用精确定制具有明确定义的成分、形态、晶相和界面的异质结构。然而，由于外延生长需要组分之间小的界面晶格失配，因此对于由具有大晶格失配和/或不同化学键合的材料构建的异质结构，特别是贵金属 - 半导体异质结构的外延合成仍然是一个挑战。

近日，南京大学Xue-Jun Wu，香港城市大学张华教授，埃默里大学Tianquan Lian报道了一种通过贵金属种子外延生长的高度对称的分支贵金属-半导体异质结构的控制合成方法。

文章要点

1）一维II-VI半导体纳米棒可以均匀地生长在零维铂金银纳米晶的(111)面上。所获得的异质结构具有与贵金属种子相同的晶体对称性，即在五重多孪晶银二十面体的20个暴露的(111)面上分别径向生长20个CdS(或CdSe)纳米棒，记为Ag-CdS(或Ag-CdSe)二十面体。

2）重要的是，虽然Ag与CdS(或CdSe)之间存在较大的晶格失配(超过40%)，但在Ag二十面体纳米晶上已经实现了CdS(或CdSe)纳米棒的外延生长。令人印象深刻的是，泵浦探测暂态吸收(TA)谱揭示了外延异质结中等离激元热电子的超快转移过程，等离激元诱导的热电子从贵金属到半导体的QY分别为18.1%和17.6%。

参考文献

Zhai, L., Gebre, S.T., Chen, B. et al. Epitaxial growth of highly symmetrical branched noble metal-semiconductor heterostructures with efficient plasmon-induced hot-electron transfer. Nat Commun 14, 2538 (2023).

DOI: 10.1038/s41467-023-38237-7

https://doi.org/10.1038/s41467-023-38237-7