Han, Q.等人研究发现无电子传输层界面处的低电子注入速率是造成性能损失的关键，改善钙钛矿薄膜的寿命可以弥补改损失。采用微秒级载流子寿命的钙钛矿薄膜组装无电子传输层的器件，效率高达为19.5％，无滞后现象而且稳定性好。

Han, Q. et al. Carrier Dynamics Engineering for High-Performance Electron-Transport-Layer-free Perovskite Photovoltaics. Chem,

Doi:https://doi.org/10.1016/j.chempr.2018.08.004. http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2451929418303310.