Won, U.等人通过双栅电场应用证明了石墨烯/硅异质结太阳能电池中的非常高的开路电压。石墨烯中Dirac点附近的低密度态允许石墨烯费米级和相应的肖特基势垒的大调制。顶部和底部栅极电场独立地调节相应的上部和下部硅能带的内置电势，以引起比带隙（1.12 eV）更高的带弯曲（1.22 eV）。

Won, U. Y. et al. Very High Open-Circuit Voltage in Dual-Gate Graphene/Silicon Heterojunction Solar Cells. Nano Energy. Doi:https://doi.org/10.1016/j.nanoen.2018.08.052.

http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2211285518306141.