单层二硫化钼(ML-MoS₂)是一种新兴的二维(2D)半导体，具有柔性集成电路(ic)的潜力。这种ML-MoS₂集成电路的应用最重要的要求是低功耗和高性能。然而，由于材料质量和器件制造技术的限制，目前很难满足这些要求。

在这项工作中，中国科学院物理研究所Guangyu Zhang开发了一种超薄高κ介电/金属栅极制造技术，用于在刚性和柔性衬底上实现基于高质量晶圆级ML-MoS₂的薄膜晶体管。

文章要点

1）刚性器件可以在深亚阈值范围内工作，功耗低，迟滞可以忽略不计，亚阈值斜率大，电流密度高，漏电流超低。

2）此外，研究人员还实现了在低于1v的电压下工作的全功能大规模柔性集成电路。该工艺可以代表在便携式，可穿戴和植入式电子产品中使用节能柔性ML-MoS2 ICs的关键一步。

参考文献

Tang, J., Wang, Q., Tian, J. et al. Low power flexible monolayer MoS2 integrated circuits. Nat Commun 14, 3633 (2023).

DOI：10.1038/s41467-023-39390-9

https://doi.org/10.1038/s41467-023-39390-9