胶体 Ag(In,Ga)S₂ 纳米晶体 (AIGS NC) 的带隙可通过其尺寸和成分在可见光范围内调节，引起了人们的极大兴趣。AIGS NC 的高吸收截面和窄发射线宽使其非常适合应对更广泛的光子应用中无镉 NC 的挑战。然而，迄今为止，AIGS NC 的光致发光量子产率（PL QY）表现得相对平淡，这主要是因为相干异质外延尚未实现。

在这里，成均馆大学Wan Ki Bae，芝加哥大学Jun Hyuk Chang，首尔国立科学技术大学Hyung-Jun Song报道了AIGS-AgGaS₂ (AIGS-AGS) 核壳 NC 的异质外延，在几乎整个可见光范围（460 至 620 nm）内具有近乎一致的 PL QY，并且具有增强的光化学稳定性。

文章要点

1)AIGS-AGS NC 成功生长的关键是使用 Ag-S-Ga(OA)2 复合物，它补充了不同成分的均质 AIGS 核和均匀 AGS 壳生长的阳离子之间的反应性。 AIGS 和 AGS 之间的异质外延形成 I 型异质结，该异质结有效地将电荷载流子限制在发射核心内，而没有光学活性界面缺陷。

2)与最先进的无重金属 NC 相比，AIGS-AGS NC 表现出更高的消光系数和更窄的光谱线宽，促使它们立即用于显示器和发光太阳能聚光器 (LSC) 等实际应用中。

参考文献

Lee, H.J., Im, S., Jung, D. et al. Coherent heteroepitaxial growth of I-III-VI2 Ag(In,Ga)S2 colloidal nanocrystals with near-unity quantum yield for use in luminescent solar concentrators. Nat Commun 14, 3779 (2023).

DOI：10.1038/s41467-023-39509-y

https://doi.org/10.1038/s41467-023-39509-y