柔性技术中的过渡金属二硫化物（TMD）可以提供大面积可扩展性和低功耗的高密度集成。然而，由于TMD的加工温度较高，将大面积TMD整合到灵活的平台中缺乏最先进的数据存储技术。TMD的低温生长可以在柔性技术中实现大规模生产，并降低转移过程的复杂性。
在这里，成均馆大学Sunkook Kim介绍了一种交叉存储器阵列，该阵列由直接生长在柔性基板上的低温（250 °C）等离子体辅助化学气相沉积MoS2实现。
文章要点
1）低温硫化会诱导具有多个晶界的MoS2纳米颗粒，为带电粒子提供通道，从而形成导电丝。后端兼容的基于MoS2的纵横忆阻器表现出强大的电阻开关(RS)行为，具有约∼105的高开/关电流比、出色的耐用性（>350个周期）、保持力（>200000秒）、和低工作电压（∼±0.5V）。
2）此外，在柔性基板上低温合成的MoS2有利于在应变状态下表现出RS特性，并表现出优异的RS性能。因此，在聚酰亚胺(PI)基板上使用直接生长的MoS2来实现高性能交叉忆阻器可以改变新兴的柔性电子产品。
参考文献
Arindam Bala, et al, Back-End-of-Line Compatible Large-Area Molybdenum Disulfide Grown on Flexible Substrate: Enabling High-Performance LowPower Memristor Applications, ACS Nano, 2023
DOI: 10.1021/acsnano.3c03407
https://doi.org/10.1021/acsnano.3c03407
