α-三氧化钼由于其易于修饰的双层结构、快速的质子插入动力学和高的理论比容量而在质子存储方面备受关注。然而，α-三氧化钼中质子插入机制的基础科学尚未完全了解。
在此，阿卜杜拉国王科技大学Husam N. Alsharee使用专门设计的磷酸基液晶电解质揭示了α-三氧化钼中的三质子嵌入机制。
文章要点
1）α-三氧化钼的半导体-金属转变行为以及俘获一摩尔质子后晶格间层的膨胀得到了实验和理论上的验证。
2）对α-三氧化钼形态的进一步研究表明其在质子嵌入过程中的断裂行为，为水合氢离子创建了扩散通道。
3）值得注意的是，研究人员在低电位下还观察到的额外氧化还原行为赋予α-三氧化钼362 mAh g−1 的改进的比放电容量。
参考文献
Lei, Y., Zhao, W., Yin, J. et al. Discovery of a three-proton insertion mechanism in α-molybdenum trioxide leading to enhanced charge storage capacity. Nat Commun 14, 5490 (2023).
DOI：10.1038/s41467-023-41277-8
https://doi.org/10.1038/s41467-023-41277-8
