无机薄膜半导体的转移印刷已引起人们的广泛关注，以在特殊基材上实现高性能软电子产品。然而，传统的转印技术，包括弹性体转印、激光辅助转印和静电转印，仍然存在诸如印模可重复使用性、额外的粘合剂和设备损坏等具有挑战性的问题。据报道，微真空辅助选择性转移将微米尺寸的无机半导体组装到非常规基板上。通过激光诱导蚀刻技术在玻璃基板上形成20微米尺寸的微孔阵列。真空可控模块由激光钻孔玻璃和硬质聚二甲基硅氧烷微通道组成，能够选择性地调节微芯片阵列上的微真空吸力。
近日，韩国科学技术院Keon Jae Lee通过微真空转移过程中的压力控制实现 3.364 × 106 的超高粘合可切换性，有助于薄膜半导体的拾取和释放，而不会产生额外的粘合剂和芯片损坏。
文章要点
1）通过将来自不同母晶圆的不同形状和尺寸的微芯片组装在同一平面上，演示了 III-V 族材料和硅的异质集成。
2）通过两个独立真空通道的独立压力控制实现多次选择性转移，转移良率高达98.06%。
3）最后，通过微真空辅助选择性转移制造出具有均匀电/光特性的柔性微型发光二极管和晶体管。
参考文献
Park, S.H., Kim, T.J., Lee, H.E. et al. Universal selective transfer printing via micro-vacuum force. Nat Commun 14, 7744 (2023).
DOI：10.1038/s41467-023-43342-8
https://doi.org/10.1038/s41467-023-43342-8
