三嗪基石墨氮化碳是由交联三嗪单元构成的半导体材料，其不同于广泛报道的七嗪基氮化碳。其基于三嗪的结构导致其物理化学性质与后者显着不同。然而，实验合成这种材料仍然是一个巨大的挑战。

近日，马克斯·普朗克胶体与界面研究所Zihan Song，Paolo Giusto提出了一种直接在平面铜箔作为基板上合成t-CN薄膜的策略，表示为t-CN@Cu。

文章要点

1）这涉及简单的半封闭系统中蒸气金属界面处的蒸气冷凝。这种热气相沉积在500°C的相对较低冷凝温度下进行4小时，形成厘米级的均匀结晶t-CN薄膜。

2）研究人员认为Cu基底在t-CN结构的生长和稳定中发挥着重要作用。事实上，2D共价网络平行于Cu表面生长，AB沿c轴堆叠。此外，可以通过化学处理定量蚀刻掉Cu衬底，留下裸露的t-CN薄膜。此外，结构上由三嗪网络组成的t-CN薄膜作为Cu电极上的中间相，提供均匀分布的亲锂位点，从而增强锂离子传输并实现均匀的锂沉积。

3）与裸铜箔相比，即使在高放电倍率和高锂存储容量下，铜上的锂化t-CN界面相也表现出高初始库仑效率和改善的循环稳定性。因此，预计本文提出的方法对于开发能量存储、光学和光催化领域的2D材料将引起高度关注，因为它为在大表面上合成均质t-CN薄膜提供了一种简单的解决方案。

参考文献

Zihan Song, et al, Triazine-Based Graphitic Carbon Nitride Thin Film as a Homogeneous Interphase for Lithium Storage, ACS Nano, 2024

DOI: 10.1021/acsnano.3c08771

https://doi.org/10.1021/acsnano.3c08771