单层过渡金属二卤化物(TMDC)薄膜的大规模生长是实现二维材料工业应用的决定性因素。然而，同时实现均匀的单层厚度和大面积覆盖仍然是一个挑战，因为它需要在空间和时间维度上精确控制反应动力学。

在这里，清华大学Run Shi，Kai Liu通过纳米多孔碳纳米管(CNT)薄膜实现的双限制生长(DLG)获得了各种大面积的单层TMDCs薄膜。

文章要点

1）在DLG中，与衬底面对面放置的前驱体碳纳米管薄膜提供了促进单层生长的空间有限的环境，而在CNT薄膜中形成的副产物适时地限制了从CNT薄膜的纳米孔释放的前体的供应，从而抑制了衬底上多层TMDCs的生长。

2）因此，大面积单层TMDC薄膜可以在很宽的反应时间范围内生长，并且在整个衬底上显示出良好的厚度、光学性能和器件性能的均匀性。DLG策略广泛适用于各种TMDC薄膜的生长，包括WSe₂、MoS₂、MoSe₂、WS₂和ReS₂。

研究工作为获得可用于集成电路实际应用的大面积单层TMDC薄膜提供了一种通用的策略。

参考文献

Zeqin Xin, et al, Dual-Limit Growth of Large-Area Monolayer Transition Metal Dichalcogenides, ACS Nano, 2024

https://doi.org/10.1021/acsnano.3c09222