离子嵌入是改善二维材料能量储存性能的重要方式。在本文中，研究人员发现原子级Sn4+修饰的V2C不仅储锂性能得到改善而且表现出杰出的倍率性能和循环稳定性，这得益于拓宽的层间距和V-O-Sn键的形成。非原位测试手段揭示了充放电过程中V/O/Sn的价态变化，证明了其对于储锂容量的贡献。
Changda Wang, Shuangming Chen et al, Atomic Sn4+ Decorated into Vanadium Carbide MXene Interlayers for Superior Lithium Storage
DOI: https://doi.org/10.1002/aenm.201802977
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/aenm.201802977
