Cong Liu 等人采用半导体分子PTN-Br引入Sn基钙钛矿前体中以形成本体异质结薄膜。此外，具有合适的HOMO（-5.41eV）的PTN-Br分子可以填充到钙钛矿膜的晶界，作为晶粒间的空穴传输介质。钙钛矿薄膜与PEDOT：PSS空穴传输层的能级匹配，确保了优异的空穴传输和更高的开路电压。此外，由于在未配位的Sn原子和PTN-Br的二甲基氨基之间形成路易斯加合物，π-共轭聚合物PTN-Br可以钝化钙钛矿膜内的陷阱态。因此实现了7.94％的冠军效率。此外，由于PTN-Br的UV屏障和钝化作用，PTN-Br掺入的器件显示出更好的紫外线（UV）稳定性。

Enhanced Hole Transportation for Inverted Tin‐Based Perovskite Solar Cells with High Performance and Stability.

Doi.org/10.1002/adfm.201808059.

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adfm.201808059