N-掺杂是提高有机半导体的电子传导性并在有机电子器件中实现欧姆阴极接触的有效方法之一。为了避免使用难以处理的高反应性n-掺杂剂，目前广泛使用空气稳定的前体，以分解方式释放活性物质，然而在加工过程中总是含不必要的副产物。清华大学Lian Duan课题组研究了空气稳定的金属（如铜，银和金）可以在螯合配体存在下容易释放自由电子，这是因为金属离子和配体之间的不可逆配位反应会推动金属和金属离子之间的平衡移动。通过采用具有强亲核质量的多功能电子传输材料4,7-二甲氧基-1,10-菲咯啉（p-MeO-Phen），银可以作为比铯强的n-掺杂剂，并且可以用于制造比铯掺杂控制器件更高性能的有机发光二极管（OLED）。

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Bin, Z. et al. Making silver a stronger n-dopant than cesium via in situ coordination reaction for organic electronics. Nat. Commun. 10, 866, Doi:10.1038/s41467-019-08821-x.

https://doi.org/10.1038/s41467-019-08821-x