发光器件面临的当前问题是缺少用于绿色发光的合适材料。为了克服这个问题，日本东京工业大学Hanzawa等人研究了过渡金属（eTM）基钙钛矿。eTM阳离子的高稳定价态利于控制载流子，eTM的非键合d轨道和阴离子的p轨道构成深CBM和浅VBM，分别有利于n型和p型掺杂。为了获得直接带隙，研究人员将构成区域边界处的VBM的带折叠到CBM的区域中心。选择斜方晶系的SrHfS3作为研究对象。用镧（La）掺杂将电导率从6×10-7 S·cm-1调节到7×10-1 S·cm-1，用磷（P）调节到2×10-4 S·cm-1掺杂。同时，主要载流子极性通过La掺杂控制为n型，并通过P掺杂控制为p型。未掺杂和掺杂的SrHfS3均在2.37 eV下显示出强烈的绿色光致发光（PL）。从PL蓝移和短寿命，可将其归因于带间跃迁和/或激子。这些结果表明SrHfS3是一种很有前景的绿色发光半导体。
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Hanzawa, K., Iimura, S., Hiramatsu, H. & Hosono, H. Materials Design of Green Light-emitting Semiconductors: Perovskite-type Sulfide SrHfS3. J. Am. Chem. Soc.
Doi:10.1021/jacs.8b13622.
https://doi.org/10.1021/jacs.8b13622
