到目前为止，有机半导体未能在高度集成的亚100nm晶体管中实现高性能。因此，诸如单壁碳纳米管，MoS₂或无机半导体的单晶材料是纳米级的最佳选择材料。德国慕尼黑大学R. Thomas Weitz团队展示了使用垂直场效应晶体管设计，沟道长度仅为40 nm，占位面积为2×80×80 nm²，使用电解液选通时可以实现与有机聚合物的高电性能。有机晶体管结合了高于3 MA cm^-2的高通态电流密度，高达10⁸的开/关电流调制比。鉴于此，该新结构也显示出用于人工神经网络的前景，并可以作为忆阻设备运行，能耗低于100 fJ。

Lenz, J., del Giudice, F., Geisenhof, F. R., Winterer, F. & Weitz, R. T. Vertical, electrolyte-gated organic transistors show continuous operation in the MA cm⁻² regime and artificial synaptic behaviour. Nat. Nanotechnol.

Doi:10.1038/s41565-019-0407-0.

https://doi.org/10.1038/s41565-019-0407-0