电荷载流子陷阱通常对半导体器件的性能非常不利。与无机半导体的情况不同，关于有机半导体中陷阱的特征和原因的深入研究仍然非常有限。瑞士林雪平大学Martijn Kemerink课题组准确地确定了各种有机半导体薄膜的空穴和电子陷阱能量。研究发现，电子和空穴陷阱能量遵循类似的经验规则，分别位于HOMO上方和LUMO下方约0.3-0.4 eV。结合实验和理论方法，陷阱的起源是水渗透纳米空隙在有机半导体薄膜中的介电效应。研究人员还提出了一种溶剂退火方法，用于从所研究的材料中去除与水相关的陷阱。该研究为实现无陷阱有机半导体薄膜提供了一条全新途径。

Guangzheng Zuo, Mathieu Linares, Tanvi Upreti & Martijn Kemerink. General rule for the energy of water-induced traps in organic semiconductors. Nature Materials. 2019

Doi:10.1038/s41563-019-0347-y.

https://www.nature.com/articles/s41563-019-0347-y