卡文迪许实验室Nat. Commun.: 共轭聚合物二极管中的高迁移率,无陷阱电荷传输
坡肉先生 坡肉先生 2019-05-09


传统上认为共轭聚合物半导体中的电荷传输受限于通过显着的能量紊乱的低迁移率方案。最近,通过开发低无序共轭聚合物在推进场效应晶体管中的载流子迁移方面取得了进展。然而,在二极管中,这些聚合物迄今未显示出明显改善的迁移率。在二极管中,较低的载流子浓度可用于填充状态密度中的残余尾状态。卡文迪许实验室Mark Nikolka 和Henning Sirringhaus团队研究表明,低失调聚合物中的大量电荷传输受到水诱导陷阱状态的限制,并且通过将小分子添加剂掺入聚合物薄膜中可以显着降低它们的浓度。在掺入添加剂后,实现了类似于分子单晶的空间电荷限制电流特性,例如红荧烯具有高达0.2 cm2/Vs的高无陷阱SCLC迁移率。

Nikolka, M.; Broch, K.; Armitage, J.; Hanifi, D.; Nowack, P. J.; Venkateshvaran, D.; Sadhanala, A.; Saska, J.; Mascal, M.; Jung, S.-H.; Lee, J. K.; McCulloch, I.; Salleo, A.; Sirringhaus, H., High-mobility, trap-free charge transport in conjugated polymer diodes. Nat. Commun. 2019, 10 (1), 2122.

Doi.org/10.1038/s41467-019-10188-y.

https://doi.org/10.1038/s41467-019-10188-y


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