二维半导体具有许多有价值的特性，可用于制造新颖的电子器件。然而，创建具有良好接触和稳定性能的2D设备已证明具有挑战性。哥伦比亚大学的James T. Teherani团队报道了可转移的接触点，由嵌入绝缘六方氮化硼的金属制成并干法转移到2D半导体上，可用于制造高质量的2D晶体管。该方法可防止直接金属化引起的损坏，为2D器件制造提供清洁，稳定且无损伤的平台。采用该方法，我们制备了基于双层p型WSe2的场效应晶体管（FET），其具有高空穴迁移率和低接触电阻。制造的器件在超过两个月的测量中也表现出高电流和稳定性。此外，低接触电阻和干净的通道使得能够制备一个近乎理想的顶栅式p-FET，在290 K下，其阈值摆幅为每十倍频64 mV。
Jung, Y., Choi, M. S. et al. Transferred via contacts as a platform for ideal two-dimensional transistors. Nature Electronics 2, 187-194, 2019
Doi:10.1038/s41928-019-0245-y.
https://www.nature.com/articles/s41928-019-0245-y
