由于二维材料相比传统的硅基器件能够提供更小的尺寸、更快的速度和更多的功能，因此二维材料的发展为其在电子、光电和光伏领域的应用开辟了可能。实现二维元件（即导体、半导体和绝缘体）大型、高质量的单晶的生长对于二维器件的工业应用至关重要。原子层六方氮化硼（hBN）具有稳定性好、表面平整、带隙大等优点，是目前国内外最好的二维绝缘材料。然而，二维六方氮化硼单晶的尺寸由于生长困难通常在1毫米以下。这些困难包括过度成核阻止从单核成长为大的单晶体，以及hBN晶格的三重对称性导致反平行域和基底上的双边界。在本文中，北京大学刘开辉教授团队发现通过退火工业铜箔能实现100平方厘米单层单晶hBN在低对称Cu（110）表面上的外延生长。结构表征和理论计算表明，铜台阶边缘与hBN之字形边缘的耦合实现了外延生长，这打破了反平行hBN域的等效性，使得单向域排列超过99%。该发现有望促进二维器件的广泛应用，并实现广泛的非中心对称二维材料的外延生长。

Li Wang, Kaihui Liu et al, Epitaxial growth of a 100-square-centimetre single-crystal hexagonal boron nitride monolayer on copper, Nature,2019

https://www.nature.com/articles/s41586-019-1226-z