化学掺杂构成了改变二维过渡金属二硫族化物（2D-TMD）的电子，化学和光学性质的有效途径。宾夕法尼亚大学Saptarshi Das，Susan B. Sinnott和Mauricio Terrones团队使用等离子体辅助方法将碳氢（CH）单元引入WS₂单层。研究发现，CH-基团是最稳定的掺杂剂，可将碳引入WS₂，从而导致光学带隙从1.98 eV降低到1.83 eV。研究表明，CH-基团并入WS₂内的S空位，未掺杂的WS2表现出单极n型传导。然而，随着碳掺杂水平的增加，CH-WS₂单层显示出p-分支并逐渐变成完全p-型。因此，嵌入WS₂晶格的CH基团调控其电子和光学特性。该路线可用于掺杂其他2D-TMD以用于更有效的电子设备。

Zhang, F., Lu, Y. et al. Carbon doping of WS₂; monolayers: Bandgap reduction and p-type doping transport. Sci. Adv. 5, eaav5003, 2019

Doi:10.1126/sciadv.aav5003.

https://advances.sciencemag.org/content/5/5/eaav5003