III-V材料的太阳能电池具有出色的效率和功率密度。然而，III-V电池的使用受到高生产成本的阻碍，这部分源于用于III-V材料生长的昂贵基底。韩国科学技术院Jihun Oh和美国国家可再生能源实验室David L. Young提出了一种无锗（GON）技术，即超薄外延式单晶Ge膜，即在氢气退火过程中采用阵列多孔Ge的形态演化。与以前的多孔Ge研究相比，该工艺明显地改善了Ge的重整表面，因此可以实现GaAs的低缺陷密度异质外延。基于GON的GaAs太阳能电池获得了14.44％效率，其开路电压几乎与在体相Ge上生长的对照电池相同。

Sanghyun Park, John Simon, Kevin L. Schulte, Aaron J. Ptak, Jung-Sub Wi, David L. Young, Jihun Oh. Germanium-on-Nothing for Epitaxial Liftoff of GaAs Solar Cells. Joule, 2019

DOI:https://doi.org/10.1016/j.joule.2019.05.013.

https://www.cell.com/joule/fulltext/S2542-4351(19)30256-9?_returnURL=https%3A%2F%2Flinkinghub.elsevier.com%2Fretrieve%2Fpii%2FS2542435119302569%3Fshowall%3Dtrue