先进钙钛矿发射器的开发大大提高了钙钛矿发光二极管（LED）的性能。然而，钙钛矿LED的进一步发展需要理想的器件电性能，而这在很大程度上取决于其界面。在具有传统p-i-n结构的钙钛矿LED中，空穴注入的效率通常低于电子注入，从而导致电荷不平衡。此外，流行的NiO_x/聚(9-乙烯基咔唑)空穴注入结构还存在界面粘附力弱、界面陷阱密度高和能级不匹配等问题。

在这项工作中，华南理工大学Hin-Lap Yip，香港城市大学Ziming Chen，Xian-Kai Chen在NiO_x和聚（9乙烯基咔唑）层之间插入了[2-(9H-咔唑-9-基)乙基]膦酸的自组装单层，通过建立稳健的界面，钝化界面陷阱状态并调整能级。

文章要点

1）研究人员成功展示了蓝色（493nm发射）和绿色（515nm发射）器件，其外部量子效率分别为14.5%和26.0%。

2）更重要的是，自组装单层还通过降低界面电容和电阻而使器件具有更快的响应速度。

研究结果为开发更高效、更亮、响应速度快的钙钛矿LED铺平了道路，扩大了其潜在的应用范围。

参考文献

Li, Z., Chen, Z., Shi, Z. et al. Charge injection engineering at organic/inorganic heterointerfaces for high-efficiency and fast-response perovskite light-emitting diodes. Nat Commun 14, 6441 (2023).

DOI：10.1038/s41467-023-41929-9

https://doi.org/10.1038/s41467-023-41929-9