在绝缘衬底上可控生长二维单晶是实现电子学和光电子学高端应用的终极追求。然而，对于最典型的二维绝缘体--六方氮化硼(HBN)来说，在绝缘衬底上制备单晶单分子膜仍然具有挑战性。

在这里，华南师范大学Xiaozhi Xu，北京大学刘开辉教授提出了一种方法，通过原子尺度的印章技术在不同的绝缘衬底上方便地制备英寸尺寸的单晶hBN单层。

文章要点

1）研究人员用hBN薄膜生长的单晶铜箔在铜的亚熔点可以与绝缘衬底紧密结合(在0.35 nm以内)，并将生长在金属表面的hBN挤出到绝缘衬底上。

2）然后，无论绝缘衬底的类型或结晶度如何，都可以通过类似于STAMP过程的去除铜箔来获得单晶hBN薄膜。

研究工作可能会促进全单晶2D材料基器件的制造工艺及其应用。

参考文献

Zeng, F., Wang, R., Wei, W. et al. Stamped production of single-crystal hexagonal boron nitride monolayers on various insulating substrates. Nat Commun 14, 6421 (2023).

DOI：10.1038/s41467-023-42270-x

https://doi.org/10.1038/s41467-023-42270-x