在摩擦电纳米发电机（TENG）中，实现高表面电荷密度（SCD）和有效的能量利用仍极具挑战性。在此，中国科学院王中林院士、Wang Jie、Zhao Zhihao设计了一种基于静电击穿效应引起的电荷逆转过程的TENG，该TENG得到了修正介电电容模型的支持。
本文要点：
1) 作者发现，该TENG的SCD增加了8倍，并且不受材料初始接触效率的影响。此外，在使用由简单电路设计制成的功率管理系统（PMS）之后，TENG的输出能量显著增加。
2) 此外，与不使用PMS相比，TENG在5V时的平均输出功率密度提高了22倍。该工作不仅提出了一种构建高效TENG的策略，还建立了一个考虑空气击穿效应的修正介电电容模型。
Ziting Guo et.al Achieving a highly efficient triboelectric nanogenerator via a charge reversion process EES 2023
DOI: 10.1039/D3EE02614K
https://doi.org/10.1039/D3EE02614K
