二维异质结材料具有薄层结构，并且没有悬垂化学键，具有非常强的光-物质相互作用，因此被认为是可能替代传统Si、Ge、GaN等半导体材料的下一代电子学材料和光电材料。但是如何直接生长2D异质结特别是亚稳态的异质结非常困难。为了得到特定晶相二维过渡金属硫化物材料，需要发展能够控制晶相的合成方法。

有鉴于此，香港城市大学张华等报道一种非常简单的化学气相沉积法合成垂直1H/1T′ MoS₂异质结。

主要内容：

（1）

通过简单调节生长过程的气氛，能够在半导体1H-MoS₂上原位生长半金属1T′-MoS₂，从而得到垂直半导体/半金属1H/1T′异质结。通过1H/1T′异质结构筑的器件表现整流能力，电流整流性能达到~10³。此外，1H/1T′异质结MoS₂光电探测其器件在532 nm的响应达到1.07 A/W，暗电流仅为10^-11 A。

（2）

这些结果说明1H/1T′ MoS₂异质结构是具有前景的光电探测器以及整流器。这项工作有助于调节过渡金属硫化物的晶相，有助于理解和运用晶相控制策略提高电子学器件的性能。

参考文献

Yongji Wang, Wei Zhai, Yi Ren, Qinghua Zhang, Yao Yao, Siyuan Li, Qi Yang, Xichen Zhou, Zijian Li, Banlan Chi, Jinzhe Liang, Zhen He, Lin Gu, Hua Zhang, Phase-Controlled Growth of 1T′-MoS₂ Nanoribbons on 1H-MoS­₂ Nanosheets, Adv. Mater. 2023

DOI: 10.1002/adma.202307269

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adma.202307269