硫化铜铟(CuInS2)是一种具有高吸收系数和直接带隙的三元A(I)B(III)X(VI)2型半导体。近日,南京邮电大学Xu Xiuwen、Zhao Qiang、香港城市大学 Wang Feng对用于新兴应用的CuInS2纳米晶体的合成和杂化进行了综述研究。
本文要点:
1) 为了探索其实际应用,科研工作者已经合成了纳米级CuInS2,其晶体尺寸一直到量子区域。CuInS2纳米晶体(NC)的优点包括宽的发射可调谐性、大的斯托克斯位移、长的衰变时间和生态友好性,使其在光电子和光伏领域极具应用前景。
2) 在过去的二十年里,湿法化学合成的进展已经在胶体CuInS2 NCs的制备和合成后阳离子交换过程中实现了对阳离子-阴离子反应性的合理控制。精确的纳米合成与一系列杂交策略相结合,产生了具有高度可定制光物理性质的CuInS2纳米晶体库。作者综述研究了利用先进的合成和杂交技术开发CuInS2纳米晶体的最新进展。作者表明,CuInS2纳米晶体在光电和生物医学应用中将发挥着重要作用。
Bing Chen et.al Synthesis and hybridization of CuInS2 nanocrystals for emerging applications Chem. Soc. Rev. 2023
DOI: 10.1039/D3CS00611E
https://doi.org/10.1039/D3CS00611E