传统的气相沉积法进行外延生长二维材料或异质结通常需要使用较大的反应器，在反应器中反应物从源转移到生长基底上。

有鉴于此，普林斯顿大学吴三丰、Leslie M. Schoop、Yanyu Jia等在纳米二维限域空间进行二维材料生长，这种生长方法无需在反应器中进行，实现了以片上生长（on-chip approach）方式生长二维材料。

主要内容

（1）

这种合成方法基于作者发现的一种快速长距离非Fickian传输现象，这种传输能够在低于材料熔点的温度将原子层Pd均匀的转移到单层WTe₂上。这种纳米限域生长能够控制生成稳定的2D晶体Pd₇WTe₂，单层晶种能够以自由的暴露或者完全封装在vdW堆叠层内。

（2）

这种合成技术具有非常好的普适性，能够用于纳米器件的制备，为拓展2D材料的空间以及拓展2D材料功能提供更多机会。

参考文献

Jia, Y., Yuan, F., Cheng, G. et al. Surface-confined two-dimensional mass transport and crystal growth on monolayer materials. Nat. Synth (2023)

DOI: 10.1038/s44160-023-00442-z

https://www.nature.com/articles/s44160-023-00442-z