倒置PSC在表面和钙钛矿/C₆₀界面处的强非辐射复合损失限制了器件的开路电压（V_oc）和填充因子（FF），并阻止了PSC的进一步性能增强。近日，上海交通大学Chen Chao、宁德时代Wu Kai、Meng Ke、Li Yaru使用二碘哌嗪（PDI）作为表面改性剂来抑制表面的深能级缺陷并调节界面处的能带排列。

本文要点：

1) PDI主要以热力学上易于去质子化的分子形式存在，以防止阳离子之间的去质子反应和表面深层缺陷的形成。此外，PDI部分渗透到C₆₀中以调节界面能带弯曲，从而促进电子传输并阻碍空穴回流。因此，作者在PDI处理的膜中观察到更均匀的表面接触电势差（CPD）和界面处热载流子的更高提取率。

2) 最后，倒置钙钛矿太阳能电池显示出26.15%的功率转换效率（PCE），25.87%的认证PCE。V_oc从1.12 V增加到1.18 V，这得益于其具有高出57 mV的准费米能级分裂（QFLS）。此外，在85°C下老化>500小时和在最大功率点跟踪1000小时后，倒置钙钛矿太阳能电池分别保持了90.4%和94.2%的初始效率。

参考文献：

Yiting Zheng et.al Towards 26% efficiency in inverted perovskite solar cells via interfacial flipped band bending and suppressed deep-level traps EES 2023

DOI: 10.1039/D3EE03435F

https://doi.org/10.1039/D3EE03435F