离子门控晶体管 (IGT) 是离子电子器件，其中沟道层与电解质直接接触，利用离子和电子通量的耦合性质。这一功能使它们能够提供高效的栅极通道电容耦合，并充当低压传感器放大器以及生物和电子学之间的交互接口。

近日，中科院化学所刘云圻院士，郭云龙研究员综述了分子水平的离子门控晶体管材料设计的研究进展。

文章要点

1）作者首先讨论离子门控的基本机制。回顾了用作通道层的不同类型的有机材料。具体来说，总结了在分子水平上提供了对通道材料设计策略的见解，以阐明这与器件性能的关系。

2）作者还重点介绍了几种电解质材料，因为它们的化学结构以及与纳米级通道层的相互作用在调节 IGT 的运行中发挥着关键作用。随后，总结了涉及材料自组装的生化检测的有前景的应用。

3）最后，作者提出了IGT发展的挑战和前景。

参考文献

Liu et al., Design of ion-gated transistor materials at the molecular level, Matter (2023)

DOI：10.1016/j.matt.2023.11.024

https://doi.org/10.1016/j.matt.2023.11.024