二维莫尔材料是通过覆盖取向或晶格常数差异较小的两层晶体形成的，其中它们的直接耦合产生莫尔电势。莫尔材料已成为发现新物理和器件概念的平台，但尽管莫尔材料具有高度可调性，但一旦形成，莫尔晶格就无法轻易改变。近日，康奈尔大学Kin Fai Mak、Jie Shan报道了莫尔晶格在单层半导体上的静电压印。

本文要点：

1) 莫尔电位是由远程MoSe₂/WS₂莫尔双层中的电子晶格产生的，它在单层中形成平坦带和绝缘态的莫尔电位，并可以通过栅极调节莫尔双层的掺杂密度来打开/关闭。

2) 此外，作者还研究了静电弛豫和结构弛豫对莫尔压印贡献之间的相互作用。该工作展示了一条实现莫尔晶格栅极控制的新途径。

参考文献：

Jie Gu et.al Remote imprinting of moiré lattices Nature Materials 2024

DOI: 10.1038/s41563-023-01709-8

https://doi.org/10.1038/s41563-023-01709-8