对具有灵活性、耐磨性、耐用性和高性能的电子设备的追求使二维（2D）范德华材料成为潜在的下一代半导体，特别值得注意的是硒化铟，它表现出了令人惊讶的超高塑性。为了加深对二维范德华材料中这种不寻常的塑性的理解，并探索无机塑性半导体，来自香港理工大学应用物理系的Jiong Zhao和Ming Yang等人对金属单硫族化合物（MX）和过渡金属二硫属化合物（MX2）进行了深入的实验和理论研究。
文章要点：
1) 该研究在MX中发现了一种普遍的塑性变形模式，这是由相变、层间滑移和微裂纹的协同作用促进的，这与具有强原子键的晶体形成对比，如金属和陶瓷，其中塑性主要由位错、孪晶或晶界驱动；
2) 此外，滑动势垒的增强通过堆叠顺序改变后的钉扎效应防止宏观断裂，2D MX材料中超高塑性和相变机制的发现对高性能无机塑料半导体的设计和开发具有重大潜力。
参考资料：
Wong, L.W., Yang, K., Han, W. et al. Deciphering the ultra-high plasticity in metal monochalcogenides. Nat. Mater. (2024).
10.1038/s41563-023-01788-7
https://doi.org/10.1038/s41563-023-01788-7
