最近，人们对可编程光子集成电路的兴趣日益增长，将其作为深度神经网络、量子计算和现场可编程阵列（FPGAs）的潜在硬件框架。然而，这些电路受到所用移相器的有限调谐速度和大功耗的限制。

惠普实验室Bassem Tossoun等介绍了作为非易失性硅光子移相器的忆阻器，一种与微环谐振器异质集成的金属氧化物忆阻器。

本文要点：

（1）

这些器件的保持时间为12小时，开关电压低于5 V，持续时间为1000个开关周期。此外，这些微谐振器已经使用300 ps长的电压脉冲进行了开关，其开关能量为0.15 pJ。

（2）

此外，这些谐振器是在异质III-V-on-Si平台上制造的，该平台能够直接在芯片上集成丰富的有源和无源光电子器件系列，以实现内存光子计算并进一步提高集成光子处理器的可扩展性。

参考文献:

Tossoun, B., Liang, D., Cheung, S. et al. High-speed and energy-efficient non-volatile silicon photonic memory based on heterogeneously integrated memresonator. Nat Commun 15, 551 (2024).

DOI: 10.1038/s41467-024-44773-7

https://doi.org/10.1038/s41467-024-44773-7