在当今的非易失性存储器中，铁电电容、隧道结和场效应晶体管(FET)已经被工业集成和/或深入研究，以提高它们的性能。同时，由于人工智能和大数据问题的巨大发展，迫切需要实现高密度交叉开关阵列，这是未来存储器和新兴计算算法的先决条件。

在这里，华东师范大学Bobo Tian设计了一种两端铁电鳍状二极管(FFD)，其中铁电电容和鳍状半导体沟道结合在一起，共享上下电极。

文章要点

1）这种设备不仅显示了数字和模拟存储功能，而且由于它使用两种非常不同的铁电材料工作，所以也是坚固和通用的。

2）与目前所有的非易失性存储器相比，它的累计耐久性高达1010个周期，通断比约为10²，特征尺寸为30 nm，操作能量约为20 fJ，操作速度为100 ns。

3）除了这些优异的性能外，简单的两端结构和10⁴的自整流比允许将它们视为新的电子构建块，用于设计无源交叉开关阵列，这对未来的内存计算至关重要。

参考文献

Feng, G., Zhu, Q., Liu, X. et al. A ferroelectric fin diode for robust non-volatile memory. Nat Commun 15, 513 (2024).

DOI: 10.1038/s41467-024-44759-5

https://doi.org/10.1038/s41467-024-44759-5