多孔结构会阻碍声子传输，但不可避免地会恶化电学和力学性能。为了抑制孔隙的形成，清华大学Li Jingfeng、Yu Jincheng提出了一种化学键工程策略，通过适当的元素取代来限制Cu₂Se基材料中的挥发性Se。

本文要点：

1) 得益于降低的孔隙率和有效的双掺杂，添加Gd₂S₃的Cu_1.99Se样品的Cu空位和载流子迁移率得到了优化，导致在1000 K下具有~17.4μW cm⁻¹ K⁻²的超高功率因数。

2) 在ΔT=516 K的条件下，制造的相应装置保持了~9.0%的高转换效率和~663.3 mW cm⁻²的功率密度，并且在110次稳定性测试循环中没有明显衰减。

参考文献：

Haihua Hu et.al Chemical bond engineering toward extraordinary power factor and service stability in thermoelectric copper selenide Joule 2024

DOI: 10.1016/j.joule.2023.12.019

https://doi.org/10.1016/j.joule.2023.12.019