二维（2D）材料由于其非凡的性质以及通过门控、邻近、应变和外场的可调谐性而在科技界引起了极大的兴趣。对于电子应用，理想的2D材料应具有高迁移率、空气稳定性、相当大的带隙，并与大规模合成兼容。
俄亥俄州立大学Chun Ning Lau等使用夹在六方BN（hBN）之间的原子级薄几层PdSe2片演示了空气稳定的场效应晶体管。
本文要点：
（1）
其大饱和电流> 350 μA/μm，在300 K和2 K下的高场效应迁移率分别为约700和10，000 cm2/Vs。
（2）
同时，插入的过渡层有助于空穴注入并有助于减少电子泄漏，导致峰值外部量子效率为23%。
参考文献:
Zhang, Y., Tian, H., Li, H. et al. Quantum octets in high mobility pentagonal two-dimensional PdSe2. Nat Commun 15, 761 (2024).
DOI: 10.1038/s41467-024-44972-2
https://doi.org/10.1038/s41467-024-44972-2
