近年来，GeTe优异的热电性能引起了研究界的极大关注。然而，许多导致GeTe超高zT的潜在物理机制仍不明确。近日，台湾政治大学Chen Yangyuan、国立清华大学Jeng Horngtay、云林科技大学Chen Chenglung报道了来自强电子-声子相互作用和低维费米表面的超高zT。

本文要点：

1) 作者合成并研究了Sb-Bi共掺杂GeTe单晶（Ge_0.86Sb_0.08Bi_0.06）Te，其在700K下的超高zT为2.7，在300-773K温度范围内的器件zT为1.41。作者通过非弹性中子散射（INS）测量发现，超高zT归因于强电子-声子（EP）相互作用引起的极低晶格热导率。

2) 第一性原理计算进一步证明，EP相互作用源于一维（双壁）拓扑中的费米表面嵌套。该发现揭示了GeTe基材料中的超高zT机制，为实现高热电性能提供了重要指导。

参考文献：

Yang-Yuan Chen et.al Ultrahigh zT from strong electron-phonon interaction and low-dimensional Fermi surface EES 2024

DOI: 10.1039/D3EE04187E

https://doi.org/10.1039/D3EE04187E