EES:通过能带对准实现优先取向SnSe基纳米棒的高热电性能
NavyLIu NavyLIu 2024-02-05

image.png多晶SnSe由于其易于加工、可加工性和放大应用而在热电应用中备受关注。近日,南京理工大学Tang GuodongChen Guang、南京大学Wang Meiyu通过简单水热合成的GeS共掺杂SnSe纳米棒具有2.4的峰值ZT0.9的高平均ZT

 

本文要点:

1) 沿[100]优先取向的SnSe纳米棒在散射载热声子方面发挥着主导作用,导致超低的晶格热导率。Ge掺杂促进了SnSe电子结构中的能带排列,在873K时产生了高塞贝克系数和5.84μW cm−1 K−2的功率因数。

2)多晶SnSe在宽温度范围内实现了极高的峰值ZT和高平均ZT。此外,该材料具有优异的硬度和晶粒细化引起的抗压强度。多晶SnSe的高热电性能和机械性能为其在废热回收和发电中的广泛应用开辟了重要途径。

 

参考文献:

Yaru Gong et.al Realizing the high thermoelectric performance of highly preferentially oriented SnSe based nanorods via band alignment EES 2024

DOI: 10.1039/D3EE04109C

https://doi.org/10.1039/D3EE04109C


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