最近在范德瓦尔斯磁性材料（vdWMM）中发现的新兴磁性拓宽了开发用于高能效计算的自旋电子器件的材料空间。尽管在vdWMM的发现方面取得了显著进展，但在室温下对vdw mm进行非易失性、确定性开关的解决方案一直缺乏，这限制了它们在商业自旋电子器件中的应用前景。

麻省理工学院Deblina Sarkar等报告了室温下vdW磁性材料中电流控制的非易失性确定性磁化切换的首次演示。

本文要点：

（1）

作者使用高达320 K的Pt自旋霍尔层实现了PMA·vdW铁磁体Fe₃GaTe₂的自旋轨道转矩（SOT）切换，室温下的阈值切换电流密度低至1.69×10⁶ A cm^-2。使用二次谐波霍尔电压测量技术，作者还定量估计了Fe₃GaTe₂/Pt双层系统的反阻尼类SOT效率。

（2）

这些结果标志着vdW磁性材料成为开发可扩展、高能效自旋电子器件的可行选择的关键一步。

参考文献:

Kajale, S.N., Nguyen, T., Chao, C.A. et al. Current-induced switching of a van der Waals ferromagnet at room temperature. Nat Commun 15, 1485 (2024).

DOI: 10.1038/s41467-024-45586-4

https://doi.org/10.1038/s41467-024-45586-4